硅是半導(dǎo)體行業(yè)第一代基礎(chǔ)材料，目前全球95%以上的集成電路元器件是以硅為襯底制造的。目前，隨著電動汽車、5G等應(yīng)用的發(fā)展，高功率、耐高壓、高頻率器件需求快速增長。

　　SiC材料由于具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場高等性質(zhì)，SiC器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢，彌補了傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料器件在實際應(yīng)用中的缺陷，正逐漸成為功率半導(dǎo)體的主流。

　　根據(jù)YOLEDéveloPPement的數(shù)據(jù)，2018年全球SiC器件市場規(guī)模為4.2億美元，2019年規(guī)模增長至5.64億美元。未來，隨著電動汽車、動力電池，以及電力供應(yīng)和太陽能(行情000591,診股)的發(fā)展，SiC器件市場將進一步快速增長，特別是電動汽車及動力電池的驅(qū)動。預(yù)計2024年，全球SiC器件市場規(guī)模將增長至20億美元，2018至2024年期間的復(fù)合增長率接近30%。根據(jù)Yole預(yù)測，2020年SiC器件市場規(guī)模仍有增長，預(yù)計在2023年隨著電動汽車的崛起開始快速增長。

　　從產(chǎn)業(yè)格局看，目前全球SiC產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美國、歐洲、日本三足鼎立態(tài)勢。其中美國全球獨大，占有全球SiC產(chǎn)量的70%-80%，碳化硅晶圓市場CREE一家市占率高達六成之多;歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈，在全球電力電子市場擁有強大的話語權(quán);日本是設(shè)備和模塊開發(fā)方面的絕對領(lǐng)先者。

　　在電動車的應(yīng)用上，特斯拉已經(jīng)將SiCMOSFET功率模塊集成到Model3逆變器中。Model3逆變器具有24個電源模塊，每個模塊有2個SiCMOSFET管芯。一輛Model3使用了48個SiCMOSFET管芯;豐田在2014年即開始使用SiC功率器件。采用SiC功率器件后，與僅含硅基器件相比，功率控制單元(PCU)尺寸縮小了80%;目前國內(nèi)汽車廠商比亞迪(行情002594,診股)也開始在SiC方面的布局。

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　　第三代半導(dǎo)體材料SiC由于具有高頻、高壓、耐高溫等眾多特性，已逐步得到市場青睞。同時，在5G新材料方面，華為也開始SiC材料方面的布局。國內(nèi)眾多公司都開始涉足SiC材料領(lǐng)域。推薦組合兆易創(chuàng)新(行情603986,診股)、三安光電(行情600703,診股)、聞泰科技(行情600745,診股)、華峰測控(行情688200,診股)、安集科技(行情688019,診股)。